Потенциалы действия

admin1 Медицинские советы и статьи 12.03.2020

Характерная черта организации синаптических входов к нейронам наружной базилярной области. Несмотря на эффективную синаптическую активацию со стороны пирамидной системы, раздражение всех основных нервных стволов, вызывавших поступление к спинному мозгу мощных афферентных волн (как это видно по регистрации на верхнем луче колебаний потенциала дорсальной поверхности мозга), не сопровождалось какими-либо изменениями мембранного потенциала регистрируемой клетки, первой из регистрации одиночная пирамидная волна была всегда подпороговой для генерации распространяющегося импульса и стойкая генерация разряда наблюдалась только при суммации действия нескольких нисходящих волн. Во втором случае даже одиночный ВПСП иногда создавал пик, а суммация действия трех нисходящих волн приводила к его появлению в 100% случаев. Таким образом, характер разряда у нейронов, активность которых была зарегистрирована внутриклеточно, был идентичен характеру его у клеток, которые регистрировались при аксонном отведении в нижних поясничных сегментах. Существенная особенность деятельности нейронов наружной базилярной области обнаруживалась при посылке к ним двух последовательных серий нисходящих импульсов, следующих друг за другом с различным интервалом. При такой активации разряд на вторую (тестирующую) волну оказывался в течение довольно значительного промежутка времени подавленным.

You May Also Like..

Какая стоматология является лучшей на сегодняшний день?

Современные люди нередко не уделяют должного внимания своим зубам и ротовой полости. Знаете ли вы о том, что именно от […]

Слабое действие

Можно предположить, что ДОФА каким-то образом поступает в окончания перерезанных нисходящих путей, вступает в процессы синтеза медиатора и приводит к […]

Появление отрицательных электротонических потенциалов

В тех случаях, когда восходящая система имеет за первым синаптическим переключением на пути к высшим анализаторным центрам и последующие переключения […]

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *